MZVL4256HBJD-00B07
- АртикулMZVL4256HBJD-00B07
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- TBW твердотельного накопителя150 Тбайт
- Ёмкость накопителя256 Гбайт
- ИнтерфейсPCIe 4.0 x4 (NVMe)
- НазначениеКлиентские ПК
- Скорость последовательного чтения3300 Мбайт/c
- Скорость последовательной записи1250 Мбайт/c
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт,224000 IOPS
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q400000 IOPS
- Вес0.01
- Все характеристики
Раскройте ускорение, Скорость PCIe 4.0
Новый высочайший уровень производительности. PCIe 4.0 обеспечивает скорость последовательного чтения до 4000 МБ/с.
Скорость произвольного чтения также увеличена на 50 % до 500 000 операций ввода-вывода в секунду для ускорения операций.
Огромная емкость до 2 ТБ
Форм-фактор M.2. Доступен дискретный форм-фактор M.2 емкостью до 2 ТБ.
Отзывчивый
Готов справиться с высокими нагрузками. Низкая задержка обеспечивает динамическую скорость, которая стремительно растет в профессиональных приложениях.
Основные параметры
- TBW твердотельного накопителя150 Тбайт
- Ёмкость накопителя256 Гбайт
- ИнтерфейсPCIe 4.0 x4 (NVMe)
- НазначениеКлиентские ПК
- Скорость последовательного чтения3300 Мбайт/c
- Скорость последовательной записи1250 Мбайт/c
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт,224000 IOPS
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q400000 IOPS
- Средняя наработка на отказ2000000 ч
- Тип памятиTLC
- Форм-факторM.2 2280
Габариты и вес
- Вес0.01
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!