MZWLO1T9HCJR-00A07
- АртикулMZWLO1T9HCJR-00A07
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- DRAM буферНет
- TBW твердотельного накопителя3504 Тбайт
- Ёмкость накопителя1920 Гбайт
- ИнтерфейсU.3
- Скорость последовательного чтения14000 Мбайт/c
- Скорость последовательной записи3000 Мбайт/c
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт,2000000 IOPS
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q150000 IOPS
- Габариты (ДхШхВ)0.12×0.1×0.01
- Вес0.25
- Все характеристики
Основные параметры
- DRAM буферНет
- TBW твердотельного накопителя3504 Тбайт
- Ёмкость накопителя1920 Гбайт
- ИнтерфейсU.3
- Скорость последовательного чтения14000 Мбайт/c
- Скорость последовательной записи3000 Мбайт/c
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт,2000000 IOPS
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q150000 IOPS
- Средняя наработка на отказ2000000 ч
- Форм-фактор2.5"
Габариты и вес
- Габариты (ДхШхВ)0.12×0.1×0.01
- Вес0.25
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Вы недавно смотрели

