MZ-V9P4T0BW








- АртикулMZ-V9P4T0BW
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- DRAM буферДа
- TBW твердотельного накопителя2400 Тбайт
- Ёмкость накопителя4000 Гбайт
- ИнтерфейсPCIe 4.0 x4 (NVMe)
- МодельSamsung 990 PRO
- НазначениеКлиентские ПК
- Объём DRAM буфера4096 Мб
- Скорость последовательного чтения7450 Мбайт/c
- Габариты (ДхШхВ)0.15×0.1×0.02
- Вес0.02
- Все характеристики
Ощутите длительную и высокую производительность PCIe 4.0. Интеллектуальная система управления нагревом встроенного контроллера обеспечивает высочайшую энергоэффективность при сохранении скорости и производительности, что помогает вам оставаться на вершине игры
- Твердотельный накопитель Samsung NVMe на базе недавно разработанного контроллера собственной разработки
- Скорость последовательного чтения/записи до 7450/6900 МБ/с
- Энергоэффективный твердотельный накопитель, надежный термоконтроль
Основные параметры
- DRAM буферДа
- TBW твердотельного накопителя2400 Тбайт
- Ёмкость накопителя4000 Гбайт
- ИнтерфейсPCIe 4.0 x4 (NVMe)
- МодельSamsung 990 PRO
- НазначениеКлиентские ПК
- Объём DRAM буфера4096 Мб
- Скорость последовательного чтения7450 Мбайт/c
- Скорость последовательной записи6900 Мбайт/c
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт,1400000 IOPS
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q1550000 IOPS
- Средняя наработка на отказ1500000 ч
- Тип памятиV-NAND
- Форм-факторM.2 2280
Габариты и вес
- Габариты (ДхШхВ)0.15×0.1×0.02
- Вес0.02
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!