MZ-V9P4T0BW
  • Артикул
    MZ-V9P4T0BW
  • Производитель
    SAMSUNG ELECTRONICS
  • DRAM буфер
    Да
  • TBW твердотельного накопителя
    2400 Тбайт
  • Ёмкость накопителя
    4000 Гбайт
  • Интерфейс
    PCIe 4.0 x4 (NVMe)
  • Модель
    Samsung 990 PRO
  • Назначение
    Клиентские ПК
  • Объём DRAM буфера
    4096 Мб
  • Скорость последовательного чтения
    7450 Мбайт/c
  • Габариты (ДхШхВ)
    0.15×0.1×0.02
  • Вес
    0.02
  • Все характеристики
Поставщик: OCS
Рейтинг:   0
Контакты 
Отправить сообщение:  
0
30 050.41 ₽
Проверенные поставщики
Широкий ассортимент товаров
Актуальные остатки и цены
Экономия времени и оптимизация закупок

Ощутите длительную и высокую производительность PCIe 4.0. Интеллектуальная система управления нагревом встроенного контроллера обеспечивает высочайшую энергоэффективность при сохранении скорости и производительности, что помогает вам оставаться на вершине игры

  • Твердотельный накопитель Samsung NVMe на базе недавно разработанного контроллера собственной разработки
  • Скорость последовательного чтения/записи до 7450/6900 МБ/с
  • Энергоэффективный твердотельный накопитель, надежный термоконтроль

Основные параметры

  • DRAM буфер
    Да
  • TBW твердотельного накопителя
    2400 Тбайт
  • Ёмкость накопителя
    4000 Гбайт
  • Интерфейс
    PCIe 4.0 x4 (NVMe)
  • Модель
    Samsung 990 PRO
  • Назначение
    Клиентские ПК
  • Объём DRAM буфера
    4096 Мб
  • Скорость последовательного чтения
    7450 Мбайт/c
  • Скорость последовательной записи
    6900 Мбайт/c
  • Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт,
    1400000 IOPS
  • Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q
    1550000 IOPS
  • Средняя наработка на отказ
    1500000 ч
  • Тип памяти
    V-NAND
  • Форм-фактор
    M.2 2280

Габариты и вес

  • Габариты (ДхШхВ)
    0.15×0.1×0.02
  • Вес
    0.02
Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!