MZ-V9E1T0BW
- АртикулMZ-V9E1T0BW
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- TBW твердотельного накопителя600 Тбайт
- Ёмкость накопителя1000 Гбайт
- ИнтерфейсPCIe 4.0 x4 (NVMe)
- Кэш-памятьHMB
- НазначениеКлиентские ПК
- Скорость последовательного чтения5000 Мбайт/c
- Скорость последовательной записи4200 Мбайт/c
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт,680000 IOPS
- Габариты (ДхШхВ)0.14×0.1×0.02
- Вес0.02
- Все характеристики
Твердотельный накопитель Samsung 990 EVO базируется на собственном контроллере Samsung, а особенностью является поддержка интерфейсов PCIe 4.0 x4 и PCI 5.0 x2, что позволяет достигать максимальной производительности на большинстве устройств. Пропускная способность 990 EVO достигает 5000/4200 МБ/с для последовательного чтения/записи и 680 000/800 000 операций ввода-вывода в секунду при случайном чтении/записи.
В модели используются чипы памяти Samsung V-NAND TLC, работающие быстрее и стабильнее благодаря оптимизированному блоку IO.
- Скорость последовательного чтения/записи до 5000/4200 МБ/с
- Повышенная энергоэффективность с поддержкой режима Modern Standby
- Удовлетворение потребностей игр, бизнеса и творческой работы
Основные параметры
- TBW твердотельного накопителя600 Тбайт
- Ёмкость накопителя1000 Гбайт
- ИнтерфейсPCIe 4.0 x4 (NVMe)
- Кэш-памятьHMB
- НазначениеКлиентские ПК
- Скорость последовательного чтения5000 Мбайт/c
- Скорость последовательной записи4200 Мбайт/c
- Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт,680000 IOPS
- Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q800000 IOPS
- Средняя наработка на отказ1500000 ч
- Тип памятиV-NAND
- Форм-факторM.2 2280
Габариты и вес
- Габариты (ДхШхВ)0.14×0.1×0.02
- Вес0.02
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!