M323R1GB4DB0-CWM
-38%
- АртикулM323R1GB4DB0-CWM
- ПроизводительSamsung
- Low Profileн/д
- Геймингн/д
- Количество контактов288
- Количество модулей в комплекте1
- Латентность (CL)40
- Наличие буфера на модуле памяти (Registered)н/д
- Напряжение, В1.1000
- Объём, Мб8192
- Вес0.015 кг
- Все характеристики
Память оперативная Samsung M323R1GB4DB0-CWM
Nevateka
- Low Profileн/д
- Геймингн/д
- Количество контактов288
- Количество модулей в комплекте1
- Латентность (CL)40
- Наличие буфера на модуле памяти (Registered)н/д
- Напряжение, В1.1000
- Объём, Мб8192
- Поддержка ECCн/д
- Пропускная способность, Мб/сек.44800
- Совместимостьн/д
- Тип оперативной памятиDDR5
- Форм-фактор оперативной памятиDIMM
- Частота функционирования, МГц5600
Габариты и вес
- Вес0.015 кг
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

