M323R4GA3BB0-CQK
  • Артикул
    M323R4GA3BB0-CQK
  • Производитель
    SAMSUNG ELECTRONICS
  • CAS Latency (CL)
    40
  • RAS to CAS Delay (tRCD)
    40
  • Row Precharge Delay (tRP)
    40
  • Количество модулей в комплекте
    1 шт.
  • Низкопрофильная
    Нет
  • Общий объем
    32 Гбайт
  • Объем одного модуля
    32 Гбайт
  • Пропускная способность
    PC4-38400
  • Вес
    0.03
  • Все характеристики
Поставщик: OCS
Рейтинг:   0
Контакты 
Отправить сообщение:  
100
11 645.63 ₽
Проверенные поставщики
Широкий ассортимент товаров
Актуальные остатки и цены
Экономия времени и оптимизация закупок

Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.

Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени

Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно растущими требованиями к более крупным и сложные рабочие нагрузки с данными. DDR5 обеспечивает более чем двукратное увеличение производительности по сравнению с DDR4, с удвоенной длиной пакета с 8 до 16 и удвоением количества банков с 16 до 32. Потрясающая производительность поднимает потолок обработки больших данных, в то же время легко обрабатывая контент 8K.

Удвоенная емкость 

Производственный процесс Samsung класса 10 нм и технология EUV позволяют чипам увеличить объем памяти с 16 Гб до 32 Гб. Удвоение фишки емкость означает, что один модуль может предоставить до 512 ГБ, чтобы плавно справляться с огромными одновременными рабочими нагрузками, с масштабируемостью для будущих инноваций.

Основные параметры

  • CAS Latency (CL)
    40
  • RAS to CAS Delay (tRCD)
    40
  • Row Precharge Delay (tRP)
    40
  • Количество модулей в комплекте
    1 шт.
  • Низкопрофильная
    Нет
  • Общий объем
    32 Гбайт
  • Объем одного модуля
    32 Гбайт
  • Пропускная способность
    PC4-38400
  • Тип памяти
    DDR5
  • Форм-фактор
    DIMM
  • Частота
    4800 МГц

Габариты и вес

  • Вес
    0.03
Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

Вы недавно смотрели
M323R2GA3BB0-CQK
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 16GB UNB 4800 1Rx8, 1.1V
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 16GB UNB 4800 1Rx8, 1.1V
M323R2GA3BB0-CQK
Поставщик: OCS
0
6 401.88 ₽
CS-CF358AR
Блок фотобарабана Cactus CS-CF358AR черный ч/б:30000стр. для CLJ M855/M880 HP
Блок фотобарабана Cactus CS-CF358AR черный ч/б:30000стр. для CLJ M855/M880 HP
CS-CF358AR
Поставщик: RichComp
5
6 897.10 ₽
KSM56R46BD4PMI-96MBI
Память оперативная/ Kingston 96GB 5600MT/s DDR5 ECC Reg CL46 DIMM 2Rx4 Micron B Renesas
Память оперативная/ Kingston 96GB 5600MT/s DDR5 ECC Reg CL46 DIMM 2Rx4 Micron B Renesas
KSM56R46BD4PMI-96MBI
Поставщик: OCS
3
55 035.24 ₽
M323R4GA3BB0-CQKOD
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 32GB UNB 4800 1Rx8, 1.1V
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 32GB UNB 4800 1Rx8, 1.1V
M323R4GA3BB0-CQKOD
Поставщик: OCS
0
11 645.63 ₽