
- АртикулM323R4GA3BB0-CQKOD
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- CAS Latency (CL)40
- RAS to CAS Delay (tRCD)40
- Row Precharge Delay (tRP)40
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем32 Гбайт
- Объем одного модуля32 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-38400
- Вес0.003
- Все характеристики
Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.
Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени
Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно растущими требованиями к более крупным и сложные рабочие нагрузки с данными. DDR5 обеспечивает более чем двукратное увеличение производительности по сравнению с DDR4, с удвоенной длиной пакета с 8 до 16 и удвоением количества банков с 16 до 32. Потрясающая производительность поднимает потолок обработки больших данных, в то же время легко обрабатывая контент 8K.
Удвоенная емкость
Производственный процесс Samsung класса 10 нм и технология EUV позволяют чипам увеличить объем памяти с 16 Гб до 32 Гб. Удвоение фишки емкость означает, что один модуль может предоставить до 512 ГБ, чтобы плавно справляться с огромными одновременными рабочими нагрузками, с масштабируемостью для будущих инноваций.
Основные параметры
- CAS Latency (CL)40
- RAS to CAS Delay (tRCD)40
- Row Precharge Delay (tRP)40
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем32 Гбайт
- Объем одного модуля32 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-38400
- Тип памятиDDR5
- Форм-факторDIMM
- Частота4800 МГц
Габариты и вес
- Вес0.003
Нет отзывов об этом товаре.
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!