M323R2GA3PB0-CWM
- АртикулM323R2GA3PB0-CWM
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- Общий объем памяти16 Гбайт
- Объем одного модуля16 Гбайт
- Пропускная способностьPC5-44800
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR5
- Форм-фактор памятиUDIMM
- Частота5600 МГц
- Вес0.1
- Все характеристики
Модуль памяти DDR5 16GB от Samsung, модель M323R2GA3PB0-CWM, обладает тактовой частотой 5600 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность в 44800 Мб/с. Его латентность составляет CL46, а напряжение — 1.1 В. Этот модуль памяти предназначен для использования в компьютерах и других устройствах, обеспечивая надёжное и эффективное функционирование.
Основные параметры
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- Общий объем памяти16 Гбайт
- Объем одного модуля16 Гбайт
- Пропускная способностьPC5-44800
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR5
- Форм-фактор памятиUDIMM
- Частота5600 МГц
Габариты и вес
- Вес0.1
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Вы недавно смотрели
GCR-UOC5M-BCG-1.0m
Greenconnect Конвертер-переходник 1.0m плоский, черный, 28/26 AWG, USB 2.0 AM / DB9 RS-232 PROF GCR-UOC5M-BCG-1.0m, чипсет PL2303RA
GCR-UOC5M-BCG-1.0m
Поставщик: OCS
0
1 476.00 ₽
R5NLE18102
Панели боковые для корпусов CQE N, ВхГ 1800х1000 мм, комплект - 2 шт. RAM block
R5NLE18102
Поставщик: OCS
0
20 269.20 ₽
M323R2GA3DB0-CWM
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V
M323R2GA3DB0-CWM
Поставщик: OCS
0
6 401.88 ₽
M323R1GB4DB0-CWM
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 8GB UNB 5600 1Rx16, 1.1V
M323R1GB4DB0-CWM
Поставщик: OCS
100
3 474.39 ₽
CS-DU5019
Блок фотобарабана Cactus CS-DU5019 013R00670 ч/б:80000стр. для WC 5019/5021/5022 Xerox
CS-DU5019
Поставщик: RichComp
5
6 812.99 ₽