M323R2GA3PB0-CWM
- АртикулM323R2GA3PB0-CWM
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- Общий объем памяти16 Гбайт
- Объем одного модуля16 Гбайт
- Пропускная способностьPC5-44800
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR5
- Форм-фактор памятиUDIMM
- Частота5600 МГц
- Вес0.1
- Все характеристики
Модуль памяти DDR5 16GB от Samsung, модель M323R2GA3PB0-CWM, обладает тактовой частотой 5600 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность в 44800 Мб/с. Его латентность составляет CL46, а напряжение — 1.1 В. Этот модуль памяти предназначен для использования в компьютерах и других устройствах, обеспечивая надёжное и эффективное функционирование.
Основные параметры
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- Общий объем памяти16 Гбайт
- Объем одного модуля16 Гбайт
- Пропускная способностьPC5-44800
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR5
- Форм-фактор памятиUDIMM
- Частота5600 МГц
Габариты и вес
- Вес0.1
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Вы недавно смотрели
M378A4G43CB2-CWE
Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200, 1.2V
M378A4G43CB2-CWE
Поставщик: OCS
0
10 940.56 ₽
M321R4GA0BB0-CQKET
Память оперативная/ Samsung DDR5 32GB RDIMM 4800 1Rx4 1.1V
M321R4GA0BB0-CQKET
Поставщик: OCS
0
17 195.86 ₽
27023
