M378A1K43EB2-CWE
- АртикулM378A1K43EB2-CWE
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- CAS Latency (CL)21
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем8 Гбайт
- Объем одного модуля8 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR4
- Габариты (ДхШхВ)0.13×0.04×0.01
- Вес0.015
- Все характеристики
Основные параметры
- CAS Latency (CL)21
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем8 Гбайт
- Объем одного модуля8 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR4
- Форм-факторDIMM
- Частота3200 МГц
Габариты и вес
- Габариты (ДхШхВ)0.13×0.04×0.01
- Вес0.015
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Вы недавно смотрели
M425R2GA3BB0-CWM
Память оперативная/ Samsung DDR5 SODIMM 16GB 5600 1Rx8, 1.1V
M425R2GA3BB0-CWM
Поставщик: OCS
100
6 612.52 ₽
M393A8G40AB2-CVF
M321R8GA0PB2-CCPWF
M393A8G40AB2-CVFBY
Память оперативная/ Samsung DDR4 64GB RDIMM 2933 1.2V
M393A8G40AB2-CVFBY
Поставщик: OCS
100
34 474.80 ₽
M393A8G40AB2-CVFCO
Память оперативная/ Samsung DDR4 64GB RDIMM 2933 1.2V
M393A8G40AB2-CVFCO
Поставщик: OCS
100
34 474.80 ₽