M378A1K43EB2-CWE
- АртикулM378A1K43EB2-CWE
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- CAS Latency (CL)21
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем8 Гбайт
- Объем одного модуля8 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR4
- Габариты (ДхШхВ)0.13×0.04×0.01
- Вес0.015
- Все характеристики
Основные параметры
- CAS Latency (CL)21
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем8 Гбайт
- Объем одного модуля8 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR4
- Форм-факторDIMM
- Частота3200 МГц
Габариты и вес
- Габариты (ДхШхВ)0.13×0.04×0.01
- Вес0.015
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Вы недавно смотрели
M378A4G43AB2-CWED0
Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200, 1.2V
M378A4G43AB2-CWED0
Поставщик: OCS
0
10 592.05 ₽
M378A2K43EB1-CWE
Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 16GB UNB 3200, 1.2V
M378A2K43EB1-CWE
Поставщик: OCS
92
6 152.56 ₽
M378A4G43AB2-CWE
Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200, 1.2V
M378A4G43AB2-CWE
Поставщик: OCS
100
10 592.05 ₽
M321R4GA3BB6-CQKDS
Память оперативная/ Samsung DDR5 32GB RDIMM 4800 2Rx8 1.1V
M321R4GA3BB6-CQKDS
Поставщик: OCS
0
16 648.10 ₽
M321R4GA3PB0-CWMJH
