M378A4G43AB2-CWE
- АртикулM378A4G43AB2-CWE
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- Activate to Precharge Delay (tRAS)45
- CAS Latency (CL)22
- RAS to CAS Delay (tRCD)22
- Row Precharge Delay (tRP)22
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем32 Гбайт
- Объем одного модуля32 Гбайт
- Вес0.01
- Все характеристики
Основные параметры
- Activate to Precharge Delay (tRAS)45
- CAS Latency (CL)22
- RAS to CAS Delay (tRCD)22
- Row Precharge Delay (tRP)22
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем32 Гбайт
- Объем одного модуля32 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR4
- Форм-факторDIMM
- Частота3200 МГц
Габариты и вес
- Вес0.01
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Вы недавно смотрели
M321R4GA3BB6-CQKDS
Память оперативная/ Samsung DDR5 32GB RDIMM 4800 2Rx8 1.1V
M321R4GA3BB6-CQKDS
Поставщик: OCS
0
16 648.10 ₽
M321R4GA3PB0-CWMJH
