Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200, 1.2V

Основные параметры

• Activate to Precharge Delay (tRAS)
  45
• CAS Latency (CL)
  22
• RAS to CAS Delay (tRCD)
  22
• Row Precharge Delay (tRP)
  22
• Количество модулей в комплекте
  1 шт.
• Низкопрофильная
  Нет
• Общий объем
  32 Гбайт
• Объем одного модуля
  32 Гбайт
• Пропускная способность
  PC4-25600
• Радиатор
  Нет
• Тип памяти
  DDR4
• Форм-фактор
  DIMM
• Частота
  3200 МГц

Габариты и вес

• Вес
  0.01