M378A2G43CB3-CWED0
- АртикулM378A2G43CB3-CWED0
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- CAS Latency (CL)22
- RAS to CAS Delay (tRCD)22
- Row Precharge Delay (tRP)22
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем памяти16 Гбайт
- Объем одного модуля16 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- Вес0.1
- Все характеристики
Небуферизованный модуль DIMM.
Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки.
Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC.
Основные параметры
- CAS Latency (CL)22
- RAS to CAS Delay (tRCD)22
- Row Precharge Delay (tRP)22
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем памяти16 Гбайт
- Объем одного модуля16 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR4
- Форм-факторDIMM
- Частота3200 МГц
Габариты и вес
- Вес0.1
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Вы недавно смотрели
ТХМ00070634
Кабель ВВГнг(А)-LS 5х4 ок (N PE) 0.66кВ (м) Кабэкс ТХМ00070634
ТХМ00070634
Поставщик: NAG
0
261.30 ₽
M386AAG40DM3-CWEZQ
Память оперативная/ Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 1.2V 4Rx4
M386AAG40DM3-CWEZQ
Поставщик: OCS
100
129 592.01 ₽
КТП00068986
Кабель ВВГнг(А)-LSLTx 3х1.5 (N PE) 0.66кВ (м) Кабэкс КТП00068986
КТП00068986
Поставщик: NAG
0
68.14 ₽
M386AAG40BM3-CWE
Память оперативная/ Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 1.2V 4Rx4
M386AAG40BM3-CWE
Поставщик: OCS
100
129 592.01 ₽
УТ-001353
Провод ПВС 3х0.75 (2х0.75+1х0.75) 380В Б (м) ПАРТНЕР ЭЛЕКТРО УТ-001353
УТ-001353
Поставщик: NAG
0
34.13 ₽