M378A2G43CB3-CWED0
- АртикулM378A2G43CB3-CWED0
- ПроизводительSAMSUNG ELECTRONICS
- CAS Latency (CL)22
- RAS to CAS Delay (tRCD)22
- Row Precharge Delay (tRP)22
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем памяти16 Гбайт
- Объем одного модуля16 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- Вес0.1
- Все характеристики
Небуферизованный модуль DIMM.
Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки.
Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC.
Основные параметры
- CAS Latency (CL)22
- RAS to CAS Delay (tRCD)22
- Row Precharge Delay (tRP)22
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- НизкопрофильнаяНет
- Общий объем памяти16 Гбайт
- Объем одного модуля16 Гбайт
- Пропускная способностьPC4-25600
- РадиаторНет
- Тип памятиDDR4
- Форм-факторDIMM
- Частота3200 МГц
Габариты и вес
- Вес0.1
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
Вопросов: 0
Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!
Вы недавно смотрели
M378A2K43EB1-CWE
Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 16GB UNB 3200, 1.2V
M378A2K43EB1-CWE
Поставщик: OCS
92
6 354.99 ₽