KVR56U46BS6-8
  • Артикул
    KVR56U46BS6-8
  • Производитель
    KINGSTON
  • Activate to Precharge Delay (tRAS)
    32
  • CAS Latency (CL)
    46
  • RAS to CAS Delay (tRCD)
    45
  • Row Precharge Delay (tRP)
    45
  • Количество модулей в комплекте
    1 шт.
  • Низкопрофильная
    Нет
  • Общий объем памяти
    8 Гбайт
  • Объем одного модуля
    8 Гбайт
  • Габариты (ДхШхВ)
    0.16×0.05×0.01
  • Вес
    0.15
  • Все характеристики
Поставщик: OCS
Рейтинг:   0
Контакты 
Отправить сообщение:  
0
2 654.04 ₽
Проверенные поставщики
Широкий ассортимент товаров
Актуальные остатки и цены
Экономия времени и оптимизация закупок

Оперативная память Kingston 8GB 5600MT/s.

Основные параметры

  • Activate to Precharge Delay (tRAS)
    32
  • CAS Latency (CL)
    46
  • RAS to CAS Delay (tRCD)
    45
  • Row Precharge Delay (tRP)
    45
  • Количество модулей в комплекте
    1 шт.
  • Низкопрофильная
    Нет
  • Общий объем памяти
    8 Гбайт
  • Объем одного модуля
    8 Гбайт
  • Пропускная способность
    PC5-44800
  • Радиатор
    Нет
  • Тип памяти
    DDR5
  • Форм-фактор
    DIMM
  • Частота
    5600 МГц

Габариты и вес

  • Габариты (ДхШхВ)
    0.16×0.05×0.01
  • Вес
    0.15
Отзывов: 0

Нет отзывов об этом товаре.

Вопросов: 0

Пока нет вопросов об этом товаре. Станьте первым!

Вы недавно смотрели
R5NLE18102
Панели боковые для корпусов CQE N, ВхГ 1800х1000 мм, комплект - 2 шт. RAM block
M323R2GA3DB0-CWM
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V
M323R2GA3DB0-CWM
Поставщик: OCS
0
6 401.88 ₽
M323R1GB4DB0-CWM
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 8GB UNB 5600 1Rx16, 1.1V
Память оперативная/ Samsung DDR5 DIMM 8GB UNB 5600 1Rx16, 1.1V
M323R1GB4DB0-CWM
Поставщик: OCS
100
3 474.39 ₽